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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2025-03-31 瀏覽數(shù)量:
作為通過CNAS/CMA認(rèn)證的獨(dú)立第三方元器件失效分析機(jī)構(gòu),我們依托金相顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SEM)、能譜分析儀(EDS)、X-RAY實(shí)時(shí)成像系統(tǒng)等尖端設(shè)備,構(gòu)建了完整的失效分析技術(shù)體系。服務(wù)覆蓋集成電路、分立器件、連接器等各類電子元器件,以及PCB/PCBA、汽車電子模組等產(chǎn)品,提供失效定位、機(jī)理分析、工藝改進(jìn)建議等全流程技術(shù)服務(wù)。
- 電氣失效:開路/短路、參數(shù)漂移、漏電流超標(biāo);
- 機(jī)械失效:封裝開裂、引線斷裂、焊點(diǎn)疲勞;
- 環(huán)境失效:腐蝕氧化、離子遷移、ESD損傷;
- 功能失效:邏輯錯(cuò)誤、時(shí)序異常、信號(hào)失真;
- 可靠性失效:高溫老化、振動(dòng)磨損、熱循環(huán)失效。
通過物理與化學(xué)分析結(jié)合方式,精準(zhǔn)定位失效根源:
1. 設(shè)計(jì)缺陷:電路布局不合理、散熱設(shè)計(jì)不足;
2. 材料缺陷:晶格缺陷、界面分層、金屬遷移;
3. 工藝缺陷:焊接空洞、虛焊、過應(yīng)力損傷;
4. 環(huán)境應(yīng)力:溫濕度循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)、化學(xué)污染;
5. 人為因素:靜電損傷、操作過載、存儲(chǔ)不當(dāng)。
采用"現(xiàn)象分析-無損檢測(cè)-破壞性驗(yàn)證"三級(jí)分析流程:
1. 電性能測(cè)試:IV曲線追蹤、信號(hào)完整性分析;
2. 顯微觀察:三維X射線斷層掃描(3D X-RAY);
3. 表面分析:紅外熱成像、激光共聚焦顯微鏡;
4. 材料分析:掃描電鏡(SEM)+能譜(EDS)聯(lián)用;
5. 開封分析:等離子刻蝕+微區(qū)探針測(cè)試;
6. 可靠性驗(yàn)證:HALT/HASS加速壽命試驗(yàn)。
1. 咨詢溝通:確認(rèn)檢測(cè)需求及樣品狀態(tài);
2. 方案制定:制定檢測(cè)方案并簽訂協(xié)議;
3. 實(shí)驗(yàn)分析:開展多維度檢測(cè)并記錄數(shù)據(jù);
4. 報(bào)告編制:生成包含失效機(jī)理、改進(jìn)建議的完整報(bào)告;
5. 報(bào)告交付:提供紙質(zhì)/電子版雙版本,支持技術(shù)解讀。
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