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AEC-Q101可靠性測試有哪些難點(diǎn)?

文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2025-04-08 瀏覽數(shù)量:

AEC-Q101是由汽車電子委員會制定的車規(guī)級分立半導(dǎo)體器件可靠性驗證標(biāo)準(zhǔn),涵蓋二極管、晶體管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵元器件認(rèn)證。作為國內(nèi)少數(shù)具備CNAS全項檢測資質(zhì)與CNCA發(fā)證能力的第三方AEC-Q101檢測實驗室,我們構(gòu)建了符合ISO/IEC 17025體系的車規(guī)級檢測平臺,可提供從測試方案設(shè)計到認(rèn)證報告交付的一站式服務(wù)。


SiC-MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證.jpg


AEC-Q101核心測試項目解析

認(rèn)證體系包含7大類32項嚴(yán)苛測試:

1. 環(huán)境可靠性試驗:溫度循環(huán)(-55℃~150℃)、高壓蒸煮(121℃/100%RH);

2. 壽命加速試驗:高溫反向偏置(HTRB)、高溫柵極偏置(HTGB);

3. 機(jī)械應(yīng)力測試:振動(20~2000Hz)、機(jī)械沖擊(1500g);

4. 電氣特性驗證:雪崩能量測試、熱阻測量(RθJA);

5. 失效模式分析:開封檢查、掃描電鏡(SEM)分析。


AEC-Q101檢測實驗室.jpg


AEC-Q101可靠性測試五大技術(shù)難點(diǎn)

難點(diǎn)1:極端條件模擬

- 溫度沖擊測試要求溫變速率>40℃/min,需定制液氮快速溫變箱。

- 功率循環(huán)測試需精確控制△Tj=100K的結(jié)溫波動。


難點(diǎn)2:數(shù)據(jù)采集復(fù)雜性

- MOSFET的RDS(on)參數(shù)測量需在脈沖寬度<300μs條件下完成。

- IGBT模塊測試需同步采集VCE(sat)、Eoff等動態(tài)參數(shù)。


難點(diǎn)3:失效機(jī)理判定

- 靜電損傷(ESD)與閂鎖效應(yīng)(Latch-up)需通過EBIC檢測定位失效點(diǎn)。

- 金屬遷移失效需結(jié)合FIB切片與EDS元素分析。


難點(diǎn)4:測試周期控制

- HTOL壽命試驗持續(xù)1000小時以上。

- 溫濕度組合測試需進(jìn)行1000次循環(huán)。


難點(diǎn)5:標(biāo)準(zhǔn)動態(tài)更新

- 2023版新增SiC器件雙脈沖測試要求。

- TVS管新增UIS(非鉗位電感開關(guān))測試項。


AEC-Q101認(rèn)證適用產(chǎn)品范圍

AEC-Q101認(rèn)證適用于汽車電子系統(tǒng)關(guān)鍵器件:

- 功率器件:SiC MOSFET、IGBT模塊

- 保護(hù)器件:TVS二極管、穩(wěn)壓管

- 驅(qū)動器件:達(dá)林頓晶體管、光耦

- 傳感器件:霍爾元件、溫度傳感器


AEC-Q101認(rèn)證測試機(jī)構(gòu)


AEC-Q101認(rèn)證測試流程

1. 確定溫度等級:根據(jù)器件的應(yīng)用環(huán)境選擇合適的溫度等級。

2. 選擇測試項目:根據(jù)器件類型和封裝形式,選擇需要進(jìn)行的環(huán)境應(yīng)力實驗和性能測試項目。

3. 進(jìn)行測試:完成選定的測試項目,記錄測試結(jié)果。

4. 數(shù)據(jù)分析:對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理,確保所有測試結(jié)果符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的要求。

5. 認(rèn)證報告:通過測試后,實驗室出具AEC-Q101認(rèn)證CNAS測試報告,證明器件符合標(biāo)準(zhǔn)。


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