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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2022-08-30 瀏覽數(shù)量：
電子元器件二次篩選是一種對電子元器件進(jìn)行全數(shù)檢驗(yàn)的非破壞性試驗(yàn)，是檢驗(yàn)元器件批合格率、質(zhì)量一致性的重要手段。優(yōu)科檢測認(rèn)證是具備CNAS和JG資質(zhì)的專業(yè)第三方元器件二篩檢測機(jī)構(gòu)，接下來為大家介紹晶體管二次篩選(補(bǔ)充篩選)程序。
| 序 號 | 篩 選 項(xiàng) 目 | 方 法 GJB128A | 篩選條件或測量參數(shù) | 說 明 | ||
| Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | ||||
| 1 | 編序列號 1） | |||||
| 2 | 電參數(shù)測試(室溫) 雙極型放大晶體管 雙極型開關(guān)晶體管 場效應(yīng)晶體管 | — | hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CBO hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 VCES g m 、 VCS (OFF ) 、 I DSS | 測量參數(shù)及合格標(biāo)準(zhǔn)按合同、詳細(xì)規(guī)范或產(chǎn)品手冊規(guī)定 | ||
| 3 | 溫度循環(huán) | 1051 | 條件： B；循環(huán) 5 次 | 玻封器件轉(zhuǎn)換時間為不大于5min | ||
| 4 | 恒定加速度 | 2006 | Y1 方向、 196000m／ s2； 額定功率不小于 10W 的器件 98000m／ s2 | 無空腔的器件不要求 LTPD=5；不通過時全檢 | ||
| 5 | 外觀及機(jī)械檢查 | 2071 | 用 10 倍放大鏡或顯微鏡 | 可在篩選開始時增加一次 | ||
| 6 | 粒子碰撞噪聲檢測(PIND) | 2052 | 試驗(yàn)條件： A | LTPD=10；不通過時全檢 | ||
| 7 | 高溫反偏(HTRB) 開關(guān)晶體管 PNP 晶體管 場效應(yīng)晶體管 | 1038 | 反偏溫度： 125±2℃ 反偏電壓： 0.75VR | 其它晶體管不要求做高溫反偏篩選，高溫反偏時間為表列時間減去生產(chǎn)方已進(jìn)行的高溫反偏。 | ||
| 96h | 72h | 48h | ||||
| 240h | 160h | 96h | ||||
| 8 | 老練前電參數(shù)測試 (室溫) | 同序號 2 | ||||
| 9 | 老練(室溫)2) | 1038 | 試驗(yàn)條件： B | 老練時間為表列時間減去生產(chǎn)方已進(jìn)行的老練時間，但不得少于 48h | ||
| 240h | 160h | 96h | ||||
| 10 | 老練后電參數(shù)測試 (室溫) | 同序號 2， 對合同或詳細(xì)規(guī)范要求的參數(shù) 計(jì)算其Δ值 計(jì)算不合格品率 | Ⅰ級 PDA≤5%(或 1 只取大值)；Ⅱ級 PDA≤10%(或 1 只取大值)；Ⅲ級PDA≤15%(或 1 只取大值)。 | |||
| 11 | 電參數(shù)測試(高溫) | 同序號 2： 溫度 按合同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)定 | LTPD=10；不通過時全檢 | |||
| 12 | 電參數(shù)測試(低溫) 雙極型放大晶體管 雙極型開關(guān)晶體管 場效應(yīng)晶體管 | 溫度按合同或詳細(xì)規(guī)范規(guī)定，測量參數(shù)： hFE 、 V(BR)CBO 、 I CBO 、 V(BR)CBO 、 I CEO hFE 、 I CBO g m 、 I DSS | LTPD=10；不通過時全檢 | |||
| 13 | 密封 a.細(xì)檢漏 b.粗檢漏 | 1071 | a.試驗(yàn)條件： G 或 H b.試驗(yàn)條件： A、 C、或 F | 無空腔的器件不要求: 內(nèi)腔體積小于 1cm3僅要求做粗檢漏 | ||
| 14 | 外觀及機(jī)械檢查 | 207l | 用 10 倍放大鏡或顯微鏡 | |||
注： 1）當(dāng)要求計(jì)算器件電參數(shù)的△值時應(yīng)編序列號。
2）額定功率大于 1W 的器件可按規(guī)定加散熱器老練，也可不加散熱器按峰值結(jié)溫老練。
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